RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3313
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link