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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
26
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.1
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
18.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
17
Velocità di lettura, GB/s
12.6
22.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
18.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3847
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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