ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Punteggio complessivo
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 28
    Intorno 7% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.6 left arrow 11.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 7.9
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 28
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.6 left arrow 11.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.5 left arrow 7.9
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2174 left arrow 1920
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