RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.6
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1920
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link