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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
26
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
20
Velocità di lettura, GB/s
12.6
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3395
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
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