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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2407
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
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