RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
34
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
34
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2739
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
‹
›
Segnala un bug
×
Bug description
Source link