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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
45
Velocità di lettura, GB/s
12.6
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
1939
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
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