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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
54
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
1,973.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
25
Velocità di lettura, GB/s
4,967.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,973.5
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
776
2340
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 99U5428-047.A00LF 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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