RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
54
Intorno -116% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
25
Velocità di lettura, GB/s
9.2
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
9.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
2340
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F2-6400CL5-1GBNT 1GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kllisre 36JSF1G72PZ-1G9K1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link