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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
54
Por volta de -116% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.8
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
25
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2340
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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