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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Confronto
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
33
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
20
33
Velocità di lettura, GB/s
19.1
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3252
3224
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Confronto tra le RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
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