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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Confronto
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
31
Intorno 35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
10.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
5.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
20
31
Velocità di lettura, GB/s
19.1
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
5.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3252
1740
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Confronto tra le RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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