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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
31
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
5.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
31
读取速度,GB/s
19.1
10.4
写入速度,GB/s
13.1
5.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
1740
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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