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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
17.5
写入速度,GB/s
8.1
16.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3837
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00. 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
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