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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
62
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.7
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
62
读取速度,GB/s
14.1
16.1
写入速度,GB/s
8.7
6.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2228
1586
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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