RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
63
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.0
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
62
读取速度,GB/s
3,231.0
16.1
写入速度,GB/s
1,447.3
6.0
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
1586
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link