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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
42
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
22
读取速度,GB/s
13.2
20.3
写入速度,GB/s
9.4
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
4116
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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