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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

总分
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB

差异 规格 评论

差异

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 44
    左右 -57% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.8 left arrow 10.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.5 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    44 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    10.9 left arrow 14.8
  • 写入速度，GB/s
    7.5 left arrow 8.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1853 left arrow 2665

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
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内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Kingston XWM8G1-MIE 32GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
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内存RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
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内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston 9905703-009.A00G 16GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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