RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
4116
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link