RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
42
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
22
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.4
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
4116
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link