RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
42
Intorno -91% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
22
Velocità di lettura, GB/s
13.2
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
4116
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link