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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
29
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
22
读取速度,GB/s
16.9
20.3
写入速度,GB/s
12.0
17.2
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
4116
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
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