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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Confronto
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Punteggio complessivo
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Punteggio complessivo
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
54
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
9.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
20
54
Velocità di lettura, GB/s
19.1
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3252
2176
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Confronto tra le RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
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