RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
45
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
37
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2512
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link