RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Comparar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.0
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
45
Por volta de -22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13
12.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
37
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
13.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
7.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1992
2512
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link