Confronto tra le RAM Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Punteggio complessivo

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.3 13.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.4 9.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 10600

Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2278 2481

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns