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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.3
13.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.4
9.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
11.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2278
2481
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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