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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Confronto
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
13.5
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2278
2575
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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