RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
33
Intorno 27% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
12.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
16
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
33
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link