RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
33
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
12.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
33
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
19200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link