RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.3
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
33
Velocità di lettura, GB/s
14.6
16.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
2918
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link