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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
39
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.9
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
18
Velocità di lettura, GB/s
14.6
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
3421
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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