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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
39
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
25
Velocità di lettura, GB/s
14.6
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
2346
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
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