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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
39
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.1
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.2
8.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
28
Velocità di lettura, GB/s
14.6
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.8
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2355
3562
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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