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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Confronto
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
38
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
14.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.3
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
32
Velocità di lettura, GB/s
14.1
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2228
3726
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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