RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
38
Wokół strony -19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
14.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2228
3726
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link