RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Confronto
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
32
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
32
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2528
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link