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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Confronto
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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Motivi da considerare
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
28
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
24
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2773
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
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