RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Confronto
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
54
Intorno -145% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
54
22
Velocità di lettura, GB/s
9.2
21.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2105
3987
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
INTENSO 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link