Confronto tra le RAM Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Punteggio complessivo

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 75

Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.3 7.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.9 12.6

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 12800

Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2112 1763

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns