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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Confronto
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno -46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2099
2880
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
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