RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2099
2880
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link