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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Confronto
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
38
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.3
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
23
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2099
2103
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451R7AFR8C-RD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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