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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Confronto
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
25
Velocità di lettura, GB/s
14.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2307
2620
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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