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Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
总分
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
总分
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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更快的读取速度,GB/s
14.5
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
25
读取速度,GB/s
14.2
14.5
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2307
2620
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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