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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Confronto
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
40
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
7.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
33
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.0
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2021
3224
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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