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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Confronto
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
38
Intorno -58% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
24
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2106
4152
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
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Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
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