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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Confronto
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
39
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
39
Velocità di lettura, GB/s
13.9
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.7
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2106
2782
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
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