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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
35
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
8500
Intorno 2.75 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
30
Velocità di lettura, GB/s
14.3
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
23400
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2479
2709
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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