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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
35
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
8500
Por volta de 2.75 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
30
Velocidade de leitura, GB/s
14.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
12.3
Largura de banda de memória, mbps
8500
23400
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2479
2709
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX2133C11D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
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Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
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