RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
37
Velocidade de leitura, GB/s
24.0
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
20.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
4156
3170
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link