RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Comparar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
37
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
24
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
37
Velocidade de leitura, GB/s
24.0
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
20.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
4156
3170
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link